CMR材料中的金属-绝缘体转变
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
我们报道了 LaCaMnO 和 NdSrMnO 薄膜中的电阻测量，以阐明 CMR 行为的基本机制。根据量子相变思想分析实验结果，以研究锰氧化物中金属-绝缘体转变的性质。不同温度下电阻率随磁化强度变化的曲线显示出连续量子相变所预期的标度行为的缺失，这使我们得出结论：观察到的金属-绝缘体转变极有可能是一种有限温度交叉现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9903238,
title = {Metal-insulator transition in CMR materials},
author = {V. N. Smolyaninova and X. C. Xie and F. C. Zhang and M. Rajeswari and R. L. Greene and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9903238},
year = {2007}
}
备注
5 pages REVTeX, 4 figures included, submitted to PRB