EuO中的金属-绝缘体相变
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
在Eu掺杂的EuO中，巨大的金属-绝缘体相变被模拟出来。根据氧空位浓度对电阻率跳跃幅度的不同数量级，以及在高电阻样品中观察到的低温电阻最小值，都得到了量化的再现。计算并讨论了巨大的塔形磁导率(CMR)。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309369,
title = {Metal-insulator transition in EuO},
author = {P. Sinjukow and W. Nolting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309369},
year = {2007}
}