铁磁薄膜中自旋电阻率的温度依赖性
材料科学
2010-05-11 v1
摘要
实验已知磁相变会导致铁磁晶体中电子电阻率出现反常的温度依赖性。基于巡游电子自旋与晶格自旋相互作用的唯象理论已被提出以解释这些观测结果。本文通过广泛的蒙特卡洛（MC）模拟，展示了铁磁薄膜中自旋电流电阻率随温度（）从低温有序相到高温顺磁相变化的行为。我们特别分析了薄膜厚度、表面相互作用以及不同类型的杂质对临界区域内自旋电阻率的影响。结果表明，相变附近电阻率峰值的起源在于临界区域内磁畴的存在。本文还基于弛豫时间近似下的玻尔兹曼方程构建了一种理论。该方程可利用我们模拟获得的数值数据进行求解。结果表明，我们的理论与 MC 结果吻合良好。文中还讨论了与实验结果的对比。
引用
@article{arxiv.0801.4444,
title = {Temperature Dependence of the Spin Resistivity in Ferromagnetic Thin Films},
author = {K. Akabli and H. T. Diep},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.4444},
year = {2010}
}
备注
11 pages, 18 figures, submitted for publication