硅上生长 n 型与 p 型立方碳化硅(3C-SiC)的欧姆接触
应用物理
2021-04-29 v4
摘要
本文报道了硅衬底上生长的 n 型与 p 型立方碳化硅(3C-SiC)层的欧姆接触。特别地,采用多种表征技术研究了对退火 Ni 与 Ti/Al/Ni 接触的形态、电学与结构性质。在 950{\deg}C 退火的 Ni 薄膜在中等 n 型掺杂 3C-SiC (ND ~ 1x10^17 cm^-3) 上形成欧姆接触,比接触电阻为 3.7x10^-3 {\Omega}cm^2。该接触退火后形成的主相为硅化镍(Ni2Si),反应层中随机分散有碳。对于高掺杂水平(NA ~ 5x10^19 cm^-3)的 p 型 3C-SiC,Ti/Al/Ni 接触优于 Ni 接触,因其给出的比接触电阻值低得多(1.8x10^-5 {\Omega}cm^2)。此处,接触最上层形成 Al3Ni2 层,而界面处检测到 TiC。对于该体系,温度依赖的电学表征确定热场发射主导界面处的电流输运。所有这些结果有助于基于 3C-SiC 多型体的器件技术的进一步发展。
引用
@article{arxiv.2001.05159,
title = {Ohmic contacts on n-type and p-type cubic silicon carbide (3C-SiC) grown on silicon},
author = {Monia Spera and Giuseppe Greco and Raffaella Lo Nigro and Corrado Bongiorno and Filippo Giannazzo and Marcin Zielinski and Francesco La Via and Fabrizio Roccaforte},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.05159},
year = {2021}
}