用于提升金属-硅接触可靠性的石墨烯型碳-硅接触
介观与纳米尺度物理
2016-12-20 v1 仪器与探测器
摘要
金属-硅接触的接触电阻和热退化是纳米级 CMOS 及功率器件应用中面临的挑战。硅化钛 (TiSi) 接触是常用的金属-硅接触，但已知在高电流应力下会扩散到有源区。在本文中，我们展示了通过 CVD 沉积在 n 型硅上的石墨烯型碳 (C) 接触 (C-Si)，其具有与 TiSi 相同的低肖特基势垒高度 0.45 eV，但在高电流应力下的可靠性有大幅提升。C-Si 接触在高电流应力脉冲下的稳定性比传统使用的 TiSi 结高出超过 1 亿倍。C-Si 接触特性甚至展现出建立超低、高温稳定接触电阻的前景。这一发现对于提升功率器件以及肖特基二极管和一般硅电气接触的可靠性具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1612.06362,
title = {Graphenic Carbon-Silicon Contacts for Reliability Improvement of Metal-Silicon Junctions},
author = {Max Stelzer and Franz Kreupl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.06362},
year = {2016}
}
备注
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), in San Francisco