使用CMOS兼容金属实现CVD生长石墨烯的低电阻边缘接触
介观与纳米尺度物理
2017-11-22 v1 应用物理
摘要
石墨烯优异的固有电子特性在器件应用中因金属与石墨烯之间较大的接触电阻而受到阻碍。形成边缘接触而非顶部接触是实现低欧姆接触最有前景的解决方案之一。本文报道了利用光学光刻技术，采用CMOS兼容金属（即镍和铝），对大面积CVD生长单层石墨烯进行边缘接触的制备与表征。通过传输线方法（TLM）提取接触电阻以及使用开尔文探针力显微镜直接测量，均显示出极低的宽度比接触电阻。
引用
@article{arxiv.1706.00325,
title = {Low resistive edge contacts to CVD-grown graphene using a CMOS compatible metal},
author = {Mehrdad Shaygan and Martin Otto and Abhay A. Sagade and Carlos A. Chavarin and Gerd Bacher and Wolfgang Mertin and Daniel Neumaier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00325},
year = {2017}
}