用于光电探测的石墨烯-硅肖特基二极管
介观与纳米尺度物理
2018-08-21 v1 应用物理
摘要
我们展示了两种石墨烯/硅肖特基结的光电特性表征，分别通过将CVD石墨烯转移至平坦与纳米尖锥图案化n-Si衬底上制备。我们展示了创纪录的 photo responsivity，在白光下超过2.5 A/W，我们将其归因于平坦结周围区域中光生电荷的贡献，或归因于纳米尖锥上增强电场引起的碰撞电离产生的内部增益。
引用
@article{arxiv.1710.10142,
title = {Graphene-Silicon Schottky diodes for photodetection},
author = {Antonio Di Bartolomeo and Giuseppe Luongo and Laura Iemmo and Filippo Giubileo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10142},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 9 figures