n型GaAs纳米线欧姆接触的优化
介观与纳米尺度物理
2018-09-19 v3
摘要
III-V族纳米线因适用于光电子量子技术应用而受到广泛研究。然而，其微小尺寸以及载流子与线表面的空间分离使得电学接触十分困难。通过系统研究扩散至掺杂GaAs纳米线的欧姆接触形成过程，我们提供了一组Pd/Ge/Au欧姆接触的最优退火参数。我们在室温下可重复地实现低至的比接触电阻，在K时升高一个数量级。我们提供了一个唯象模型来描述接触电阻随扩散参数的变化关系。通过实现传输矩阵方法，我们从数值上研究了肖特基势垒对接触电阻的影响。我们的结果表明，接触电阻可利用多种势垒形状进行预测，但要进一步理解结构特性则需对复杂扩散过程建立完整的微观认识。
引用
@article{arxiv.1711.08284,
title = {Optimization of ohmic contacts to n-type GaAs nanowires},
author = {Ludwig Hüttenhofer and Dionysios Xydias and Ryan B. Lewis and Sander Rauwerdink and Abbes Tahraoui and Hanno Küpers and Lutz Geelhaar and Oliver Marquardt and Stefan Ludwig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.08284},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 10 figures