聚合物场效应晶体管中的接触效应
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
在有机场效应晶体管(OFET)中，接触电阻通常对整体器件电阻有显著贡献。理解金属-有机界面处的电荷注入对于优化OFET器件性能至关重要。我们在浅沟道极限下使用底接触聚(3-己基噻吩)(P3HT) OFET进行了一系列实验来研究注入过程。当接触为欧姆接触时，我们发现接触电阻率与载流子迁移率成反比，这与扩散限制注入一致。然而，来自其他电极材料器件的数据表明，这种简单的图像不足以描述具有显著势垒的接触。一种广义传输线方法允许分析非欧姆接触，我们发现与考虑聚合物中跳跃导电性质的注入模型有合理的一致性。P3HT中(非故意的)掺杂剂浓度的变化可以通过改变金属-有机能带对齐来显著改变注入过程。在非常低的掺杂水平下，输运表明在Au/P3HT界面形成了势垒，而Pt/P3HT接触保持欧姆接触且电阻相对较低。我们最近观察到，金属源/漏电极上的自组装单分子层可以显著降低接触电阻，并在未经处理的电极会导致非欧姆、高电阻接触的条件下保持欧姆导通。最后，我们讨论了对极短沟道器件的测量，这是朝着研究通过单个聚合物链输运迈出的初步步骤。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607744,
title = {Contact effects in polymer field-effect transistors},
author = {D. Natelson and B. H. Hamadani and J. W. Ciszek and D. A. Corley and J. M. Tour},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607744},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 10 figures, SPIE San Diego 2006