纳米尺度聚合物晶体管中的界面电荷转移
材料科学
2009-05-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
界面电荷转移在建立金属费米能级与有机半导体能带的相对排列中起着至关重要的作用。尽管在许多系统中细节仍不清楚，但这种电荷转移已在许多光电子能谱实验中被推断出来。我们展示了在由聚(3-己基噻吩) (P3HT) 制成的极短沟道 ( nm) 晶体管中的电子输运测量结果。随着沟道长度的减小，接触电阻和零栅极电压电导的演变与这种电荷转移一致。与具有 Au 接触的类似器件相比，具有 Pt 接触的器件中的短沟道导电性显著增强，这与电荷转移的预期一致。交流扫描隧道显微镜 (ACSTM) 提供了进一步的证据，表明空穴从 Pt 转移到 P3HT 中，而在 Au/P3HT 界面发生的电荷转移要少得多。
引用
@article{arxiv.0809.3637,
title = {Interfacial charge transfer in nanoscale polymer transistors},
author = {J. H. Worne and R. Giridharagopal and K. F. Kelly and D. Natelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3637},
year = {2009}
}
备注
19 preprint pages, 6 figures