掺杂对有机场效应晶体管中的电荷注入与能带对齐的影响
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们研究了在真空退火后，对比 Pt 和 Au 电极接触的 poly(3-己基噻君) (P3HT) 场效应晶体管中的金属/有机半导体电荷注入。于低掺杂浓度时，Au/P3HT 接触电阻增大并呈非欧姆特性。相比之下，Pt/P3HT 接触即使在更低掺杂水平下仍保持欧姆特性。紫外光致发射光谱 (UPS) 表明，金属/P3HT 能带对齐随样品去掺杂而发生显著位移，导致空穴注入势垒增加，其中 Au/P3HT 的位移幅度更大。这些结果表明，掺杂显著改变金属/有机界面上的能带对齐及电荷注入过程。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512318,
title = {Doping dependent charge injection and band alignment in organic field-effect transistors},
author = {B. H. Hamadani and H. Ding and Y. Hao and D. Natelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512318},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures