悬浮石墨烯纳米结中的局域电荷转移掺杂
介观与纳米尺度物理
2014-06-11 v1
摘要
我们报道了具有金和铂电极、沟道长度短于100 nm的纳米级石墨烯晶体管的电子输运测量，并将其与沟道长度从1 μm到50 μm的晶体管进行比较。我们发现，用铂电极制成的晶体管在电荷中性点处出现大的正栅压偏移，而用金电极制成的器件偏移可忽略不计。这与电子从石墨烯转移到铂电极是一致的。随着沟道长度的增加，使用金电极和铂电极测量的中性点之间的差异消失。
引用
@article{arxiv.1201.1035,
title = {Local charge transfer doping in suspended graphene nanojunctions},
author = {J. H. Worne and H. Gullapalli and C. Galande and P. M. Ajayan and D. Natelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.1035},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 3 figures, to appear in Appl. Phys. Lett