石墨烯的扫描门显微镜研究：电荷不均匀性与外部掺杂
介观与纳米尺度物理
2011-07-26 v1 材料科学
摘要
我们对石墨烯场效应晶体管（GFET）进行了扫描门显微镜（SGM）研究，使用涂有介电层的偏置金属纳米线作为接触模式探针和局部顶栅。在不同背栅电压下，流经石墨烯的电输运作为探针电压和探针位置的函数被监测。在Dirac点附近，石墨烯电阻对探针电压的依赖性随探针位置表现出显著变化。SGM成像揭示了电子掺杂区和空穴掺杂区的介观畴。我们的测量表明，由于外部局部掺杂，石墨烯中的载流子密度存在显著的空间涨落（量级为10^12/cm^2）。在我们的样品中，发现此类掺杂的重要来源包括金属接触、石墨烯边缘、结构缺陷和光刻胶残留物。
引用
@article{arxiv.1003.5404,
title = {Scanning Gate Microscopy on Graphene: Charge Inhomogeneity and Extrinsic Doping},
author = {Romaneh Jalilian and Luis A. Jauregui and Gabriel Lopez and Jifa Tian and Caleb Roecker and Mehdi M. Yazdanpanah and Robert W. Cohn and Igor Jovanovic and Yong P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5404},
year = {2011}
}