模拟环辛四烯分子在石墨烯器件上的纳米力学响应
材料科学
2018-10-15 v1
摘要
我们研究了石墨烯上环辛四烯(COT)分子的原子与电子结构，并使用第一性原理计算分析了它们对外加栅电压的依赖关系。通过采用密度泛函理论(DFT)计算添加或移除电子来模拟外加栅电压。这使我们能够研究载流子密度的变化如何改变分子形状、取向、吸附位点、扩散势垒和扩散路径。随着空穴掺杂增加，COT分子逐渐改变形状为更扁平的构象，分子与石墨烯之间的距离增大，而扩散势垒急剧减小。对于电子掺杂增加，在载流子密度为 -810 e/cm 时观察到向平面构象的突变。这些计算表明，吸附COT分子的形状和迁移率可通过外部栅控石墨烯器件来调控。
引用
@article{arxiv.1810.05285,
title = {Simulating the nanomechanical response of cyclooctatetraene molecules on a graphene device},
author = {Sehoon Oh and Michael F. Crommie and Marvin L. Cohen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.05285},
year = {2018}
}