电流退火单层石墨烯的扫描门显微镜研究
介观与纳米尺度物理
2010-03-31 v2
摘要
我们使用扫描门显微镜探索了电流退火石墨烯薄片的局部电导率。在低电流密度退火后，局部中性点（NP）的图谱显示出微米尺度的不均匀性。局部电子-空穴（e-h）跃迁的展宽也与NP的不均匀性相关。在较高电流密度下退火减少了NP的不均匀性，但我们仍观察到电子-空穴传导中的一些不对称性。我们将其归因于靠近一个金属接触的空穴掺杂区域，以及局部NP中的底层条纹。
引用
@article{arxiv.0911.3832,
title = {Scanning gate microscopy of current-annealed single layer graphene},
author = {M. R. Connolly and K. L. Chiou and C. G. Smith and D. Anderson and G. A. C. Jones and A. Lombardo and A. Fasoli and A. C. Ferrari},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.3832},
year = {2010}
}
备注
8 pages, 4 figures