栅极定义双层石墨烯沟道中局域态的扫描栅极显微镜研究
介观与纳米尺度物理
2021-01-04 v1
摘要
我们使用扫描栅极显微镜展示了在封装双层石墨烯中一条50nm宽、栅极定义的导电沟道内，由电势不均匀性引起的局域态的存在。当在局域针尖诱导电势影响下对沟道电导成像时，我们观察到作为针尖位置函数的增强电导椭圆。这些椭圆使我们能够推断局域态的位置并研究它们对位移场的依赖关系。对于大位移场，我们观察到局域态倾向于出现在沟道的中部。我们所有的观察结果都可以在随机库仑阻塞的框架内得到很好的解释。
引用
@article{arxiv.2006.10144,
title = {Scanning Gate Microscopy of Localized States in a gate-defined Bilayer Graphene Channel},
author = {Carolin Gold and Annika Kurzmann and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.10144},
year = {2021}
}