利用栅极电压控制双层石墨烯中无能隙态的层局域化
介观与纳米尺度物理
2018-11-14 v1
摘要
在具有堆叠畴壁的栅控双层石墨烯实验中，存在受无谷混合保护的无能隙拓扑态。在此，我们利用原子尺度模型研究了这些态在栅压下的行为，这使我们能够阐明其起源。我们发现栅势控制着这两个态的层局域化，并且这种局域化会根据所施加的栅压大小在层间发生非平凡的切换。我们还通过分析层间碳键的形成，展示了这些双层无能隙态是如何由单层石墨烯的能带产生的。基于此分析，我们提供了一个具有解析解的模型哈密顿量，该解析解将层局域化解释为所施加电势与层间跃迁之比的函数。我们的结果为在电子器件中操控无能隙态开辟了途径，类似于在拓扑绝缘体中提出的读写存储器。
引用
@article{arxiv.1709.07624,
title = {Controlling the layer localization of gapless states in bilayer graphene with a gate voltage},
author = {W. Jaskólski and M. Pelc and Garnett W. Bryant and Leonor Chico and A. Ayuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.07624},
year = {2018}
}