门控双层石墨烯中的自旋-层锁定无隙态
介观与纳米尺度物理
2019-06-19 v1
摘要
门控双层石墨烯在堆垛畴壁上表现出具有拓扑特性的自旋简并无隙态。这些态允许沿畴壁的一维电流。我们在此证明，当双层石墨烯含有由磁性缺陷修饰的堆垛畴壁时，这些拓扑保护的电流是自旋极化的，并锁定在单一层中。我们将这些磁性缺陷建模为 {\pi}-空位，它们扰动拓扑态但也解除其自旋简并。有一种无隙态在这些缺陷的扰动下存活，且其自旋极化主要局域于一层中。拓扑态中的自旋极化电流在单一层中流动，这一发现暗示了在自旋电子学应用中有效利用这些态的可能性。
引用
@article{arxiv.1906.07513,
title = {Spin-layer Locked Gapless States in Gated Bilayer Graphene},
author = {W. Jaskólski and A. Ayuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.07513},
year = {2019}
}