拓扑保护谷与量子霍尔边缘输运之间的相互作用
介观与纳米尺度物理
2022-08-17 v1
摘要
在二维电子气中实现拓扑保护态的一种成熟方法是通过施加垂直磁场从而产生量子霍尔边缘通道。有趣的是，在静电带隙双层石墨烯中，即使没有磁场，自然形成的堆垛畴壁处也会出现拓扑保护电子态。尽管这两类拓扑保护态各自都已被研究过，但它们之间有趣的相互作用仍知之甚少。在此，我们聚焦于高质量悬浮双层石墨烯八重简并零朗道能级内拓扑畴壁态与量子霍尔边缘输运的相互作用。我们发现，由于传导通道在畴壁与器件边缘之间发生交换，低磁场下贯穿不同量子霍尔态的两终端电导近似保持恒定。然而，对于高磁场，我们观察到畴壁处输运抑制的证据，这可归因于能谱微隙的出现。这表明堆垛畴壁可能并不对应于序参量中的拓扑畴壁。
引用
@article{arxiv.2111.05870,
title = {Interplay between topological protected valley and quantum Hall edge transport},
author = {Fabian R. Geisenhof and Felix Winterer and Anna M. Seiler and Jakob Lenz and Ivar Martin and R. Thomas Weitz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.05870},
year = {2022}
}