多层石墨烯中的谷霍尔扭折态与边缘态
介观与纳米尺度物理
2011-08-11 v1
摘要
我们报道了对局域在少层石墨烯系统条带边缘以及具有不同谷霍尔电导率的少层石墨烯系统之间界面处的一维态的理论研究。当忽略谷混合时，这些一维态受到拓扑保护。我们讨论了堆垛方式、界面结构以及垂直于层的电场对其性质的影响。我们发现，一维态通常在多层条带的扶手椅型方向边缘缺失，但在 ABC 堆垛多层的任何内部谷霍尔界面处，无论晶体学取向如何，均存在。
引用
@article{arxiv.1105.3666,
title = {Valley-Hall Kink and Edge States in Multilayer Graphene},
author = {Jeil Jung and Fan Zhang and Zhenhua Qiao and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.3666},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 3 figures