扭曲多层石墨烯中的拓扑超导

我们研究了一个最小 Hubbard 模型，用于描述由扭曲石墨烯多层的超晶格调制所产生的关联平坦微带中的电子驱动超导。谷自由度极大地改变了首选配对态的性质，有利于具有谷单态结构的三重态 $d+id$ 序。我们确定了该类别中的两个候选态，它们均为拓扑超导体。这些态支持携带通常超导磁通量子 $hc/(4e)$ 一半的半涡旋，并具有拓扑保护的无能隙边缘态。