栅控多层石墨烯倾斜边界处的拓扑扭结态
介观与纳米尺度物理
2013-06-27 v2 强关联电子
摘要
寻找拓扑保护边缘态的新实现形式是当前活跃的研究领域。我们表明,栅控多层石墨烯中的倾斜边界支持拓扑保护的无能隙扭结态,这与量子谷霍尔绝缘体 (QVH) 相关。我们从两个角度研究了此类扭结态:双层系统的紧束缚模型微观视角和第一性原理计算视角,以及一般多层系统的对称性保护拓扑 (SPT) 态视角。我们表明,AB-BA 双层倾斜边界支持无能隙扭结态,且不受边界处集中应变的影响。此外,我们将这些扭结态确立为{\it 时间反演对称} 型 SPT 边缘态的具体实例,其受到无谷混合、电子数守恒和时间反演 对称性的保护。这使我们能够从 SPT 角度讨论对称性变化可能引发的相变。近期关于此类倾斜边界网络的实验观测表明,通过这些新型拓扑扭结态的输运可能解释长期存在的亚隙电导谜题。此外,近期在栅控双层中观测到的能隙闭合与重开现象,可能是两种不同 SPT(QVH 和 LAF)之间相变的首个实例。
引用
@article{arxiv.1301.1690,
title = {Topological kink states at a tilt boundary in gated multi-layer graphene},
author = {Abolhassan Vaezi and Yufeng Liang and Darryl H. Ngai and Li Yang and Eun-Ah Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1690},
year = {2013}
}
备注
Improved a discussion of the structural aspects of the tilt boundary. Included a discussion of boundary condition dependence. Added new section on connection to experiments