石墠覆盖双铋石 on SiC 作为相关量子自旋格尔边态平台
介观与纳米尺度物理
2026-03-04 v1
摘要
在 SiC(0001) 表面生长的 Epitaxial 双铋石承载着受称对称性保护的金属边态，位于较大的体带隙内，已被证明为高温量子自旋格尔 (QSH) 传输的有前景的二维拓扑绝缘体。本文实现了通过在 SiC(0001) 上夹层 Bi 并进行氢化处理，制备的双铋石岛，具有受控的边缘终止方式。光谱测量表明，边态位于体带隙内部且保持电中性。石墠覆盖层仅与双铋石发生弱相互作用，保留了其拓扑特性同时提供了环境保护。值得注意的是，一维边缘通道显示出相对于无石墠双铋石而言的电子关联性增强，暗示了 QSH 边态物理学的近距离诱导性修饰。这些结果表明，石墠覆盖双铋石作为相关量子自旋格尔态的稳健且可调平台具有良好的应用前景。
引用
@article{arxiv.2603.02397,
title = {Graphene-capped bismuthene on SiC as a platform for correlated quantum spin Hall edge states},
author = {Huu Thoai Ngo and Zamin Mamiyev and Niclas Tilgner and Andres David Pena Unigarro and Sibylle Gemming and Thomas Seyller and Christoph Tegenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.02397},
year = {2026}
}
备注
11 pages, 5 figures