SiC 上外延石墨烯中量子霍尔效应边缘态的可压缩性抑制
介观与纳米尺度物理
2018-02-09 v2
摘要
我们确定了在 Si 端 SiC 上顶部栅控外延石墨烯（G/SiC）的量子霍尔效应（QHE）边缘附近形成可压缩条带的条件，并将其与以绝缘衬底上剥离石墨烯的场效应晶体管（GraFET）几何结构进行比较。对于 G/SiC，石墨烯层正下方 SiC 上大量的局域表面态及其间的电荷转移，既导致石墨烯的掺杂，也屏蔽了其边缘附近的势分布。这抑制了石墨烯中 QHE 边缘附近可压缩条带的形成，使其远比 GraFET 中相应的可压缩条带狭窄。
引用
@article{arxiv.1712.04957,
title = {Suppressed compressibility of quantum Hall effect edge states in epitaxial graphene on SiC},
author = {Sergey Slizovskiy and Vladimir I. Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.04957},
year = {2018}
}
备注
6 pages, version accepted to PRB but with reduced resolution of spectrum figures