生长在6H-SiC(0001)衬底上的石墨烯的尺寸限制效应
材料科学
2014-02-27 v1
摘要
我们观察到了生长在n型6H-SiC(0001)上的石墨烯占据态密度中的能带结构。通过光电子能谱揭示的结构可以用量子阱态的形成来描述，其数量和能量位置（E1 = 0.3 eV, E2 = 1.2 eV, E3 = 2.6 eV）与石墨烯/n-SiC结构中价带势垒形成的深（V = 2.9 eV）且窄（d = 2.15 Å）量子阱的计算结果一致。我们认为，在介电衬底上的石墨烯以及悬浮石墨烯中也应形成量子阱态。
引用
@article{arxiv.1402.6569,
title = {Size confinement effect in graphene grown on 6H-SiC (0001) substrate},
author = {V. M. Mikoushkin and V. V. Shnitov and A. A. Lebedev and S . P. Lebedev and S. Yu. Nikonov and O. Yu. Vilkov and T. Iakimov and R. Yakimova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6569},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 4 figures