通过分子动力学模拟在 6H-SiC 上生长石墨烯
介观与纳米尺度物理
2012-02-23 v1
摘要
进行了经典分子动力学模拟，以研究石墨烯在 6H-SiC(0001) 衬底上的外延生长。研究发现存在一个阈值退火温度，高于该温度可观察到衬底上石墨结构的形成。为了检验模拟结果的敏感性，我们测试了两种经验势，并通过计算的石墨烯特性（包括碳 - 碳键长、对关联函数和结合能）评估了它们的可靠性。
引用
@article{arxiv.1202.4846,
title = {Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation},
author = {N. Jakse and R. Arifin and S. K. Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.4846},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 5 figures