用光电子能谱研究石墨-SiC(0001)界面形成的初始阶段
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过ARPES、高分辨XPS和LEED研究了6H-SiC(0001)表面随退火温度的石墨化过程。对于石墨化的初始阶段——6root3重构表面——我们观察到石墨sp2键合碳的特征sigma带。pi带受到与衬底相互作用的修饰。C1s芯能级谱表明该层由两类不等价的碳原子组成。在TA=1250-1300摄氏度下在6root3表面之上形成的下一层石墨（石墨烯）具有未受扰动的电子结构。在更高温度下退火导致多层石墨薄膜的形成。研究表明，石墨与SiC(0001)表面之间的界面原子排列与6root3重构层几乎相同。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609383,
title = {Initial stages of the graphite-SiC(0001) interface formation studied by photoelectron spectroscopy},
author = {K. V. Emtsev and Th. Seyller and F. Speck and L. Ley and P. Stojanov and J. D. Riley and R. G. C. Leckey},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609383},
year = {2007}
}
备注
6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2006, Newcastle upon Tyne, UK, September 3rd - 7th, 2006