石墨烯/SiC(0001)界面处的碳再杂化：对稳定性和原子尺度起伏的影响
介观与纳米尺度物理
2012-05-23 v1 材料科学
摘要
我们通过在一系列低应变共格界面结构中进行密度泛函计算，研究了石墨烯/SiC(0001)界面的能量稳定性及相关的结合机制。在应变可忽略的结构中，6√3×6√3 R30° SiC周期显示出最低的界面能，这为其频繁的实验观测提供了理由。界面稳定性由衬底键合的石墨烯原子发生sp2到sp3再杂化（金字塔化）所增强的局部反应性驱动。通过这种机制，稳定性更高的弛豫结构在原子尺度上表现出更明显的石墨烯起伏。
引用
@article{arxiv.1205.4848,
title = {Carbon rehybridization at the graphene/SiC(0001) interface: Effect on stability and atomic-scale corrugation},
author = {Gabriele Sclauzero and Alfredo Pasquarello},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4848},
year = {2012}
}