石墨烯及 SiC(0001) 上相关重构的隧穿谱学研究
材料科学
2010-11-23 v1
摘要
通过扫描隧道显微镜和谱学，我们研究了 SiC(0001) 表面的 5x5、6rt(3)x6rt(3)-R30deg 以及石墨烯覆盖的 6rt(3)x6rt(3)-R30deg 重构。对于 5x5 结构，我们获得了丰富的表面态谱，特别发现其中一个态局域在表面观察到的结构突起（吸附原子）的顶部。在裸露的 6rt(3)x6rt(3)-R30deg 重构上也观察到了类似的谱，并且在两种情况下，谱在费米能级处都显示出近乎为零的电导率。当石墨烯覆盖 6rt(3)x6rt(3)-R30deg 表面时，费米能级处的电导率显著增加，此外，谱中观察到的各种表面态峰在能量上发生移动且强度下降。我们讨论了覆盖石墨烯对界面电子性质的影响，以及可能的界面结构模型。
引用
@article{arxiv.0901.1305,
title = {Tunneling Spectroscopy of Graphene and related Reconstructions on SiC(0001)},
author = {Shu Nie and R. M. Feenstra},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.1305},
year = {2010}
}
备注
14 pages with 5 figures; to be published in J. Vac. Sci. Technol. A