逼近理想石墨烯：6H-SiC(0001) 上氢插层石墨烯的结构
材料科学
2020-01-08 v1
摘要
我们利用正入射 X 射线驻波技术，测量了 6H 碳化硅 (0001) 面上氢插层准自由单层石墨烯的吸附高度。基于范德华修正交换关联泛函，对完整 ()-R30 单胞进行的密度泛函计算发现，其吸附高度为纯物理吸附，与实验结果高度吻合；石墨烯层起伏极小，界面处电子密度非常均匀，且拥有石墨烯在任何衬底上已知的最低每原子吸附能。与其他石墨烯结构的对比表明，6H-SiC(0001) 上的氢插层石墨烯逼近理想石墨烯。
引用
@article{arxiv.1411.4753,
title = {Approaching ideal graphene: The structure of hydrogen-intercalated graphene on 6H-SiC(0001)},
author = {J. Sforzini and L. Nemec and T. Denig and B. Stadtmüller and T. -L. Lee and C. Kumpf and S. Soubatch and U. Starke and P. Rinke and V. Blum and F. C. Bocquet and F. S. Tautz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.4753},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures