氢插层 SiC 上外延石墨烯的掺杂及其磁振荡
材料科学
2011-07-26 v1
摘要
我们研究了通过氢插层产生的准自由站立单层石墨烯与表面受主态之间的电荷转移。我们考虑两种受主态密度模型来解释在石墨烯中观察到的高空穴密度，并找到了密度对栅极电压的响应度。通过研究载流子密度的磁振荡，我们提供了一种实验方法来确定相关模型。
引用
@article{arxiv.1107.4769,
title = {Doping of epitaxial graphene on SiC intercalated with hydrogen and its magneto-oscillations},
author = {S. Kopylov and V. I. Fal'ko and Th. Seyller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.4769},
year = {2011}
}
备注
2.5 pages