SiC 上顶栅石墨烯中量子干涉的调控
介观与纳米尺度物理
2013-12-06 v1
摘要
我们报告了在 SiC 的 Si 面上外延生长的单层石墨烯顶栅霍尔棒中的量子干涉测量结果，其中通过改变温度和电荷密度实现了从负磁阻到正磁阻的转变。我们对准粒子量子干涉和电子 - 电子相互作用引起的磁阻量子修正进行了系统研究。我们分析了影响 cm 至 cm 密度区域磁输运的不同散射机制的贡献，发现电荷密度对谷内散射时间有显著影响。此外，我们观察到了电子 - 电子相互作用随电荷密度的调制，这是现有理论所未能解释的。我们的结果阐明了量子输运在基于 SiC 的器件中的作用，这将与基于石墨烯的相干电子技术的发展密切相关。
引用
@article{arxiv.1311.7276,
title = {Tuning of quantum interference in top-gated graphene on SiC},
author = {Andrea Iagallo and Shinichi Tanabe and Stefano Roddaro and Makoto Takamura and Hiroki Hibino and Stefan Heun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.7276},
year = {2013}
}