SiC(000$\bar{1}$) 上石墨烯的界面结构

对在真空或 Si 富集环境中加热 SiC(000$\bar{1}$) 表面（即 {0001} 表面的 C 面）制备的石墨烯薄膜进行了比较研究。发现两种情况产生不同的界面结构。前者产生熟知的 3$\times$3 重构界面，而后者产生具有 rt(43)$\times$rt(43)-R$\pm$7.6° 对称性的界面。研究表明该结构包含一层类石墨烯层，其性质类似于在 Si(0001) 表面（即 Si 面）上形成的 6rt(3)$\times$6rt(3)-R30° "缓冲层"。