4H-SiC(0001)上外延石墨烯的界面结构
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们利用表面X射线反射率对石墨烯-4H-SiC(0001)界面进行了结构分析。我们发现该界面由两个SiC双层的扩展重构组成。直接位于第一层石墨烯下方的界面是一个扩展层，其厚度超过体相SiC双层厚度的两倍（约1.7 Å，而体相双层为0.63 Å）。从该界面层到第一层石墨烯的距离远小于石墨的层间距，但大于在(000-1)表面上生长的石墨烯所测得的相同距离，正如先前从头计算所预测的那样。
引用
@article{arxiv.0808.1413,
title = {The interface structure of epitaxial graphene grown on 4H-SiC(0001)},
author = {J. Hass and J. E. Millan-Otoya and P. N. First and E. H. Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.1413},
year = {2009}
}
备注
1 tex file plus 6 figures