表面X射线衍射确定的多层石墨烯/4H-SiC(000-1)体系的结构性质
材料科学
2009-11-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们使用表面X射线反射率对多层石墨烯-4HSiC(000-1})体系进行了结构分析。我们首次表明，在C端(000-1})表面上生长的石墨烯薄膜具有非常短的石墨烯-衬底键长（0.162nm）。测量的距离排除了与衬底的弱Van der Waals相互作用，而是表明第一层石墨烯与体相之间存在强键，正如从头计算所预测的那样。测量还表明，多层石墨烯在该表面上以近乱层模式生长。这一结果可能解释了该体系电导测量中推断出的石墨烯对称性缺失[C. Berger et al., Science 312, 1191 (2006)]。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702540,
title = {The structural properties of the multi-layer graphene/4H-SiC(000-1) system as determined by Surface X-ray Diffraction},
author = {J. Hass and R. Feng and J. E. Millan-Otoya and X. Li and M. Sprinkle and P. N. First and C. Berger and W. A. de Heer and E. H. Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702540},
year = {2009}
}
备注
9 pages with 6 figures