旋转堆叠及其对在 4H-SiC$(000\bar{1})$ 上生长的石墨烯薄膜的电子效应
材料科学
2007-06-15 v1
摘要
我们利用低能电子衍射和表面 X 射线衍射研究了在 SiC 表面生长的多层石墨烯的堆叠顺序。结果表明，薄膜中含有高密度的旋转堆叠缺陷，这是由三种类型的旋转石墨烯引起的：相对于 SiC 衬底旋转 和 的片层。这些角度是独特的，因为它们对应于层状石墨烯自身以及与 SiC 衬底之间的公度相。{\it Ab intio} 计算表明，这些旋转相在电子上解耦了相邻的石墨烯层。来自缺陷边界的石墨烯能带结构在 点（狄拉克锥）处显示出线性能量色散，与单层石墨烯几乎完全相同。
引用
@article{arxiv.0706.2134,
title = {Rotational stacking and its electronic effects on graphene films grown on 4H-SiC$(000\bar{1})$},
author = {J. Hass and F. Varchon and J. E. Millan-Otoya and M. Sprinkle and W. A. de Heer and C. Berger and P. N. First and L. Magaud and E. H. Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2134},
year = {2007}
}
备注
5 pages 4 figures