栅控多层石墨烯中堆叠序变化沿线上的金属-半导体行为
介观与纳米尺度物理
2024-03-19 v1
摘要
我们研究了沿扶手椅方向发生堆叠序变化的栅控多层石墨烯。我们考虑了部分层破裂以释放堆叠畴壁处的剪切应变。石墨烯的能量锥在 k 空间中沿相应方向重叠，因此来自不同谷的拓扑无间隙态也发生重叠。然而，由于破裂层引起的原子尺度缺陷，这些态发生强烈的相互作用并发生分裂，产生有效的能隙。我们发现，对于某些栅极电压，能隙态发生交叉，沿堆叠畴壁的金属行为可以恢复。在特殊情况下，费米能级处出现平带。我们表明，对于栅极电压的微小变化，占据该能带的电荷在外层之间振荡。
引用
@article{arxiv.2403.11143,
title = {Metal-semiconductor behavior along the line of stacking order change in gated multilayer graphene},
author = {Włodzimierz Jaskólski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.11143},
year = {2024}
}