强畸变门控三层石墨烯中的无能隙态与电流调控
介观与纳米尺度物理
2022-12-28 v1
摘要
我们研究了部分缺失外层、形成由两个三层石墨烯经单层石墨烯连接而成的体系的门控三层石墨烯。三层石墨烯堆垛序的差异导致无能隙态的出现,其中一态主要局域于单层石墨烯中。我们证明,通过改变施加于外层的门电压值,可改变该态的 E(k) 斜率。其结果是,单层石墨烯中流动的电流方向亦可被改变,这一效应或可在实际应用中发挥作用。
引用
@article{arxiv.2209.04178,
title = {Gapless states and current control in strongly distorted gated trilayer graphene},
author = {Wlodzimierz Jaskolski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.04178},
year = {2022}
}