门控三层石墨烯中的不平衡边缘模式与拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2012-05-21 v2 材料科学
摘要
当通过施加层间电势差打开体带隙时，手性堆叠三层石墨烯所承载的无间隙边缘模式展现出独特特征。我们表明，具有半整数量子谷霍尔电导的三层石墨烯在相对的锯齿形边界处导致不平衡的边缘模式，从而形成自然的谷电流极化器。这一不寻常的特性在存在Rashba自旋轨道耦合时得以保持，该耦合将门控三层石墨烯转变为具有奇数对螺旋边缘模式的拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.1203.4033,
title = {Unbalanced edge modes and topological phase transition in gated trilayer graphene},
author = {Xiao Li and Zhenhua Qiao and Jeil Jung and Qian Niu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.4033},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures