石墨烯的边际拓扑性质:与拓扑绝缘体的比较
介观与纳米尺度物理
2012-08-21 v2
摘要
石墨烯体系与拓扑绝缘体的电子结构具有密切相关的特征,例如量子化的贝里相位和零能边缘态。这些类比的原因在于,两个体系均存在两个相关的轨道能带,从而产生赝自旋自由度;此外,不那么明显的是,石墨烯中的谷自由度与拓扑绝缘体中的电子自旋之间存在对应关系。尽管存在相似之处,但在体拓扑性质及其对边缘态的影响方面仍存在若干重要区别,这主要归因于谷与自旋之间的根本差异。鉴于其独特的能带结构特征,有能隙的石墨烯体系应被恰当地表征为边际拓扑绝缘体,既不同于平庸绝缘体,也不同于真正的拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.1110.1969,
title = {Marginal topological properties of graphene: a comparison with topological insulators},
author = {Jian Li and Ivar Martin and Markus Buttiker and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.1969},
year = {2012}
}
备注
This manuscript will be published on the Proceedings of the 2010 Nobel Symposium on Graphene and Quantum Matter