绝缘双层石墨烯中亚能隙电导的拓扑起源
介观与纳米尺度物理
2011-01-24 v1
摘要
基于石墨烯的系统的边缘具有不寻常的电子性质，这些性质源于与电子波函数的赝自旋特征相关的非平凡拓扑结构。这些性质在传统系统中由薛定谔方程描述的电子中没有类似物，并已导致许多引人注目的现象的预测，例如栅极可调铁磁性和谷选择性输运。然而，在大多数情况下，预测的现象预计无法在真实石墨烯器件边缘不可避免的强结构和化学无序的影响下幸存。在这里，我们对静电间隙双层石墨烯 (BLG) 边缘的固有低能态进行了理论研究，并发现即使对于高度不完美的边缘，边缘模式对实际器件电导的贡献仍然相当可观。如果静电感应间隙足够大，这种边缘电导将主导体贡献，并解释了近期输运和光学光谱实验中看似矛盾的观测结果。我们的结果说明了其根源在于电子能带结构拓扑的现象的鲁棒性，即使在缺乏特定保护机制的情况下也是如此。
引用
@article{arxiv.1009.4851,
title = {Topological origin of subgap conductance in insulating bilayer graphene},
author = {Jian Li and Ivar Martin and Markus Buttiker and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4851},
year = {2011}
}
备注
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