双层和三层石墨烯中无序诱导的场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2013-02-18 v2 无序系统与神经网络
摘要
我们提出利用无序在偏置双层和三层石墨烯中产生场效应晶体管 (FET)。当无序效应仅局限于石墨烯层中的一层时，偏置电压的调制可以产生电导的巨大变化。该效应基于偏置电压选择由哪一层石墨烯承载电流的能力，且不依赖于态密度中能隙的存在。特别地，我们在无能隙 ABA 堆叠三层石墨烯、有能隙 ABC 堆叠三层石墨烯和有能隙双层石墨烯的模型中演示了这一效应。
引用
@article{arxiv.1210.6393,
title = {Disorder induced field effect transistor in bilayer and trilayer graphene},
author = {Dongwei Xu and Haiwen Liu and Vincent Sacksteder and Juntao Song and Hua Jiang and Qing-feng Sun and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.6393},
year = {2013}
}
备注
21 pages, 7 figures