人工堆叠双层 CVD 石墨烯场效应晶体管中增强的本征电压增益
介观与纳米尺度物理
2022-12-06 v1 应用物理
摘要
我们报道了由大面积化学气相沉积（CVD）石墨烯制备的双栅人工堆叠双层石墨烯场效应晶体管（BiGFET）中的电子输运。该器件显示出增强的电流饱和趋势，从而导致最小输出电导值降低。与单层石墨烯 FET 相比，这带来了器件本征电压增益的改善。我们采用最初为 Bernal 堆叠双层石墨烯 FET（BSBGFET）开发的基于物理的紧凑模型来探究所观察到的现象。电流饱和的改善可归因于沟道中载流子密度的增加，从而因载流子-载流子散射导致饱和速度降低。
引用
@article{arxiv.2212.01877,
title = {Enhanced intrinsic voltage gain in artificially stacked bilayer CVD graphene field effect transistors},
author = {Himadri Pandey and Jorge Daniel Aguirre Morales and Satender Kataria and Sebastien Fregonese and Vikram Passi and Mario Iannazzo and Thomas Zimmer and Eduard Alarcon and Max C. Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.01877},
year = {2022}
}