石墨烯双层中栅压诱导带隙的第一性原理理论
材料科学
2007-05-23 v3 强关联电子
摘要
我们使用第一性原理密度泛函理论研究了石墨烯双层中由栅压诱导产生的带隙。我们的计算证实了由唯象紧束缚和连续模型所建议的定性图像。我们讨论了在小栅压下外部层间势的增强屏蔽效应，这种效应在第一性原理计算中更为明显，并使用自洽哈特里近似的紧束缚模型量化了晶体不均匀性的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612236,
title = {Ab Initio Theory of Gate Induced Gaps in Graphene Bilayers},
author = {Hongki Min and B. R. Sahu and Sanjay K. Banerjee and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612236},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 7 figures; the effect of r3 coupling included; typo corrected