ABA堆叠三层石墨烯中的栅极诱导层间不对称性
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v3
摘要
我们利用自洽哈特里近似考虑屏蔽效应,计算了存在外部栅极时ABA堆叠三层石墨烯的电子能带结构。在没有栅极电势的情况下,低能区域存在独立的线性带和抛物线带对。垂直于层的栅极电场破坏了相对于中心层的镜面反射对称性,并使低能线性带和抛物线带杂化,从而产生了一个与单层或双层石墨烯本质不同的手性哈密顿量。利用自洽玻恩近似,我们发现存在无序时,态密度和最小电导率通常随栅极电场的增加而增加,这与双层石墨烯形成鲜明对比。
引用
@article{arxiv.0809.0983,
title = {Gate-induced interlayer asymmetry in ABA-stacked trilayer graphene},
author = {Mikito Koshino and Edward McCann},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.0983},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures