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ABA堆叠三层石墨烯中的栅极诱导层间不对称性

介观与纳米尺度物理 2009-11-13 v3

摘要

我们利用自洽哈特里近似考虑屏蔽效应,计算了存在外部栅极时ABA堆叠三层石墨烯的电子能带结构。在没有栅极电势的情况下,低能区域存在独立的线性带和抛物线带对。垂直于层的栅极电场破坏了相对于中心层的镜面反射对称性,并使低能线性带和抛物线带杂化,从而产生了一个与单层或双层石墨烯本质不同的手性哈密顿量。利用自洽玻恩近似,我们发现存在无序时,态密度和最小电导率通常随栅极电场的增加而增加,这与双层石墨烯形成鲜明对比。

关键词

引用

@article{arxiv.0809.0983,
  title  = {Gate-induced interlayer asymmetry in ABA-stacked trilayer graphene},
  author = {Mikito Koshino and Edward McCann},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0809.0983},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 3 figures