双栅极ABA堆叠三层石墨烯的量子霍尔效应和半金属行为
介观与纳米尺度物理
2012-01-20 v2
摘要
多层石墨烯的电子结构强烈依赖于层数以及堆叠顺序。在这里，我们探索了在双栅极场效应器件结构中纯ABA堆叠三层石墨烯的电子输运。我们发现，零磁场输运和高磁场下的量子霍尔效应都与单层和双层石墨烯明显不同，并且它们表现出电子-空穴不对称性，强烈暗示了半金属能带重叠。当ABA三层石墨烯受到垂直于薄片的电场时，由于谷简并的解除，可以清晰地观察到朗道能级分裂。
引用
@article{arxiv.1109.2385,
title = {Quantum Hall Effect and Semimetallic Behavior of Dual-Gated ABA-Stacked Trilayer Graphene},
author = {E. A. Henriksen and D. Nandi and J. P. Eisenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.2385},
year = {2012}
}
备注
5 figures