双层石墨烯中电子能带的红外光谱研究

我们展示了静电门控双层石墨烯随掺杂变化的红外光谱（0.1-1 eV），并将其与紧束缚计算结果进行比较。光谱中识别出了所有与预期带间跃迁相对应的主要光谱特征：一个由平行分裂能带间跃迁引起的强峰，以及两个由价带与导带间跃迁引起的类起始特征。我们观察到这些结构对栅极电压的强烈依赖性以及显著的电子-空穴不对称性，并利用这些特性提取了若干能带参数。令人惊讶的是，实验中与栅极诱导带隙相关的结构远不如紧束缚模型预测的那样显著。