扭曲双层石墨烯的光学电导率
介观与纳米尺度物理
2013-03-12 v1
摘要
我们计算了层间存在相对扭曲的双层石墨烯的有限频率电导率。零掺杂下的低频响应表现出平坦的电导率，其值为单层情况的两倍，而在更高频率处出现强吸收峰。对于有限掺杂，低频平坦吸收被修改为零频率附近的峰（Drude 响应），并伴随带间边缘，这是由于 Pauli 阻塞导致谱权重从带间吸收转移到带内吸收的结果。如果系统被充分掺杂使得化学势超过扭曲双层能带结构中的低能鞍点，则在与有效层间跃迁能相关的能量处出现强低频吸收峰，这可用于确定该参数并证实鞍点的存在，该鞍点在电子态密度中引起低能 van Hove 奇点。
引用
@article{arxiv.1302.7233,
title = {Optical Conductivity of Twisted Bilayer Graphene},
author = {Calvin J. Tabert and Elisabeth J. Nicol},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.7233},
year = {2013}
}
备注
Accepted in Phys. Rev. B Rapid Communications