魔角附近扭转双层石墨烯的光学电导率

我们在考虑晶格弛豫效应的情况下，理论研究了魔角附近扭转双层石墨烯（TBG）的能带结构与光学电导率。我们表明，光学电导率谱的特征是一系列与能带结构中范霍夫奇点相关的峰，且峰的能量随扭转角系统性演化。TBG中的晶格弛豫效应改变了其能带结构，尤其是平带，这导致光学电导率中峰的显著移动。这些结果表明，光学电导率中的光谱特征可作为探索魔角TBG能带结构、带隙与晶格弛豫以及确定其旋转角的指纹。