双层石墨烯中的四带隧穿
介观与纳米尺度物理
2013-05-28 v1
摘要
考虑到能谱的四个能带，我们获得了双层石墨烯在矩形势垒和 pn 结中的电导、透射概率和反射概率。我们评估了斜向跳跃参数 {\gamma}3 和 {\gamma}4 对这些性质的重要性，并表明对于能量 E>{\gamma}1/100，它们的影响可以忽略不计。在高能下存在两种传播模式，我们研究了这些模式之间的散射。对于垂直入射，两种传播模式是解耦的，它们之间的散射是被禁止的。这将两带近似中定义的赝自旋概念扩展到了四带模型，并对应于波函数在面内镜像下的（反）对称性。我们发现了新的透射共振，它们表现为电导中的尖锐峰值，而这在两带近似中是不存在的。对系统施加层间偏压会：1) 破坏赝自旋结构，2) 打开带隙，导致电导中出现透射抑制的显著特征，以及 3) 破坏透射和反射中关于法向入射的角对称性。
引用
@article{arxiv.1303.6876,
title = {Four band tunneling in bilayer graphene},
author = {B. Van Duppen and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.6876},
year = {2013}
}